11月21日下午，中国科学院院士郝跃应邀做客我校“杨钟健学术讲座”，为师生作了题为“半导体芯片与集成电路的创新发展”的报告。校党委常委、副校长张远军代表学校致欢迎辞，并向郝跃院士赠送了“杨钟健学术讲座”纪念牌。学校相关部门负责人和师生代表听取了报告。报告由科技处负责人主持。

报告中，郝跃院士介绍了全球信息科学发展趋势、集成电路工艺和半导体器件进展、光刻机制造技术的主要难点、后摩尔时代新器件基础研究等相关情况，并以本团队标志性成果为例进行说明，包括硅基高电子迁移率材料和器件、陡峭亚阈值摆幅器件—负电容晶体管。他详细介绍了宽禁带半导体材料及生长设备、电子器件和集成电路、光电与传感器件的研究现状和发展趋势，并认为，应突出第三代（宽禁带）半导体器件的特色和优势。他表示，超宽禁带半导体材料已成为大国博弈焦点，集成电路技术也表现出芯片三维集成技术发展明显加快、更加注重异质异构集成电路芯片的趋势，面对当前错综复杂的形式，高校应推动学科建设与人才培养，坚持市场为导向的新型举国体制。

报告结束后，郝跃院士与参会师生进行了交流，勉励青年科技工作者在科研工作中注重细节，从平凡做起，日积月累，力戒浮躁，为社会主义现代化建设奉献青春。